Dr. Totok M.S. Soegandi Dosen Pembimbing 1 Gandi Sugandi, ST Dosen Pembimbing 2 GINA GIANTI/ 11-1998-020 Penulis

Sel surya adalah divais yang dapat mengkonversikan energi cahaya matahari menjadi energi listrik. Sel surya terdiri atas tiga bagian utama yaitu sambungan p-n (p-n junction), kontak metal dan lapisan anti refleksi. Penelitian pada lapisan difusi sambungan p-n sel surya bertujuan untuk memperoleh karakteristik difusi sel surya terhadap perubahan temperatur. Proses pencetakkan lapisan difusi sel surya dilakukan dengan teknik cetak sablon (screen printing). Proses difusi yang dilakukan menggunakan teknik difusi thermal yang terdiri atas dua tahapan proses yaitu proses predeposisi dan proses drive-in . Dengan menggunakan silikon tipe-p orientasi (100) sebagai bahan utama dan pasta phospor sebagai bahan impuritas, difusi ini dilakukan pada temperatur yang berbeda-beda yaitu 900°C, 91 0°C, 920°C, 930°C. Dari basil pengukuran resistansi dengan menggunakan metode four point probe didapatkan nilai sheet resistance 42,8 Ω/▭ hingga 46,3 Ω/▭ nilai ini termasuk pada umumnya nilai sheet resistance sel surya yaitu 30-60 Ω/▭. Berdasarkan pengukuran dengan C-V Test didapatkan profil lapisan difusi berupa konsentrasi impuritas dan kedalaman sambungan (junction depth), dan nilai kedalaman sambungan yang diperoleh sebesar 0.184 - 0.290' nilai kedalaman sambungan berdasarakan pengukuran ini tidak terlalu berbeda dengan nilai kedalaman sambungan berdasarkan perhitungan yaitu 0.128 -0.179 dan kedua nilai ini juga termasuk kedalam umumnya nilai untuk kedalaman sambungan yaitu dibawah 1. Dan pada kondisi penyinaran lapisan difusi ini mampu menghasilkan tegangan ± 0,5 Volt.