Amri Cahyadi / 111997089 Penulis Dr. Totok M. S. Soegandi Dosen Pembimbing 1 Dr. Goib Wiranto Dosen Pembimbing 2

Inti dari teknologi micro-electro-mechanical .\y.Hems (MEMS) adalah teknik etsa terhadap substrat (umumnya silikon), dimana berdasarkan sifatnya, teknik etsa dibedakan menjadi dua tipe utama, yaitu isotropik dan anisotropik. Dalam larutan seperti KOH, CsOH, dan TMAH, kecepatan etsa silikon mono-kristal akan berbeda (anisotropik) sesuai dengan orientasi bidang kristalnya. Data karakteristik etsa silikon baik isotropik maupun anisotropik sesuai dengan keadaan ruangan suatu laboratorium sangat berperan penting dalam perancangan dan pembuatan divais maupun sistem MEMS. Pada penelitian ini, telah dipelajari berbagai karakteristik etsa anisotropik silikon (100) oleh larutan KOH dan CsOH untuk variasi konsentrasi (15%- 40% berat) dan temperatur (70°C- 90°C) sesuai dengan keadaan ruangan Laboratorium Mikroelektronika Pusat Penelitian Elektronika dan Telekomunikasi Lembaga Ilmu Pengetahuan Indonesia (P2ET-LIPI) Bandung. Telah dipelajari juga sifat-sifat fisik yang ditimbulkan dari proses etsa terhadap geometri dan kekasaran (roughness) permukaan silikon. Besarnya energi aktivasi untuk proses etsa silikon (100) pada konsentrasi yang berbeda telah ditemukan. Hasil penelitian menunjukkan bahwa kecepatan etsa bidang kristal (100) akan berkurang seiring dengan kenaikan konsentrasi, dan akan meningkat seiring dengan kenaikan temperatur larutan. Tingkat kehalusan permukaan silikon yang teretsa ditemukan meningkat dengan adanya kenaikan konsentrasi larutan.