Detail Cantuman

Pada tugas akhir ini penulis merancang divais dioda semikonduktor yang dapat digunakan sebagai bahan referensi untuk menguasai teknologi proses dioda semikonduktor, dengan mengamati parameter-parameter proses dan karakteristik listrik yang di dapat dari simutasi program. Tahapan rancangan ini meliputi perhitungan parameter proses, dan simulasi program Suprem3 yang memiliki luaran parameter proses dan Pisces2b yang memiliki luaran karakteristik listrik.

Divais dioda semikonduktor ini dirancang dengan menggunakan bantuan simulasi program Suprem3 dan Pisces2b. Suprem3 membahas tentang proses thermal, yaitu oksidasi dan difusi. Oksidasi berfungsi untuk melindungi permukaan silikon (Si), dan difusi digunakan untuk membentuk sambungan p-n pada semikonduktor. Pada laporan ini, program Pisces2b difokuskan pada pembahasan pada AC analisisnya, Sedangkan Transient analisisnya dikerjakan Prabowo Budi Laksono/ 11-1997-008. AC analisis terdiri atas beberapa bagian yaitu : grid dan profit doping, tegangan terhadap kapasitansi, frekuensi terhadap kapasitansi, dan frekuensi terhadap kondutivitas Hasil perhitungan, dan simulasi program Suprem3 akan dibandingkan sehingga diperoleh kesamaan, sehingga perancangan dioda semikonduktor dapat diimplementasikan.